هواوي تتحدى الحظر الأميركي بمعالج هواتف Mate 70

الغد برس/ بغداد 

تستعد هواوي لإطلاق سلسلة هواتف Mate 70 الجديدة هذا العام، والتي يُتوقع أن تأتي بمعالج Kirin 9010 المُصنع بتقنية "5 نانومتر"، وتأتي هذه الخطوة بعد النجاح الذي حققته الشركة، العام الماضي، مع هواتف Mate 60 Pro بمعالج Kirin 9000S المبني بتقنية "7 نانومتر".

وعلى الرغم من أن العديد من الشركات المصنعة للهواتف الذكية مثل سامسونج، وTSMC تعمل حالياً على تطوير معالجات بتقنية "2 نانومتر"، إلا أن هواوي تواجه تحديات كبيرة، بسبب العقوبات الأميركية التي تمنعها من الوصول إلى تقنيات أشباه الموصلات المتقدمة.

ويبدو أن هواوي، وشريكتها في التصنيع الصينية SMIC، وجدا طرقًا مبتكرة لتجاوز العقوبات الأميركية، مما يمهد الطريق أمام الشركة لتصنيع معالجات بتقنية "3 نانومتر" قريباً.

وحسب موقع "phonearena"، فمن المتوقع أن يأتي معالج Kirin 9010 بتقنية "5 نانومتر" من تصنيع شركة SMIC، ولكن مستوى الإنتاج باستخدام تلك التقنية، وتكلفته يتوقف على نوع آلات قطع الشرائح.

فالشركات الصينية تستخدم آلات تعمل بتقنية DUV التي تستخدم نطاق الأشعة فوق البنفسجية العميق، ومعدل الإنتاج يكون منخفضاً، مما يرفع تكلفته بشكل كبير، ويجعل استخدام تقنية "5 نانومتر" غير عملي، بينما آلات القطع بتقنية EUV تستخدم نطاق الأشعة فوق البنفسجية الفائق، بمعدل إنتاج مرتفع، وبالتالي تنخفض التكاليف.

وأشارت بعض التوقعات إلى أن هذا الأسلوب لن يكون متبعاً فقط مع معالجات هواتف هواوي، وإنما سيمتد أيضاً لمعالجاتها المعتمدة على معمارية ARM، مما سيجعل المعالجات ذات تقنية تصنيع 3 نانومتر من عملاق الرقائق التايواني TSMC أكثر تطوراً من معالجات هواوي، إذ إن السوق في انتظار عدة معالجات تحمل التقنية الثورية الجديدة (N3E) مثل معالج كوالكوم Snapdragon 8 Gen 4، وميدياتك Dimensity 9400، ومعالج أبل A18.

وبلوغ هواوي مستوى من التطور التقني الخاص بشرائح "5 نانومتر" سيظل مذهلًا لجميع منافسيها، وخاصة واشنطن، والتي بذلت قصارى جهدها، ووصلت عقوباتها إلى مستويات غير مسبوقة، إذ ضيقّت الخناق على بكين وشركاتها، سواء بعقوبات مباشرة تحظر وصول الشرائح إليها من شركات أميركية، أو حتى شركات أخرى تعمل داخل حدود حلفائها، مثل: سامسونج، وASML، وإنفيديا، وغيرها.

ما هو الـ"نانومتر"؟

يذكر أن صناعة الرقائق تعتمد في الأساس على أسلوب تصنيع يعرف باسم Process Node، والذي يستخدم لإنشاء الدوائر المتكاملة Integrated Circuits.

وهذا الأسلوب الصناعي Process Node يسعى نحو خفض حجم وحدات المقاومة Transistors، والتي تكون مسؤولة عن نقل الإشارات الكهربائية على متن شرائح المعالجات، وبذلك تتم عمليات معالجة البيانات، وكذلك تحديد أحجام مكونات الرقائق.

ومقياس هذا الأسلوب يتم التعبير عنه بالأرقام 10 نامومتر، و7 نانومتر، و5 نانومتر، وهذا الرقم يعبر عن حجم وحدة المقاومة الواحدة على سطح الرقاقة، فكلما انخفض حجم الوحدة، كلما عبر ذلك عن زيادة عدد وحدات المقاومة الممكن وضعها على سطح الرقاقة، مما يُترجم إلى زيادة الأداء، بالإضافة إلى خفض استهلاك الرقاقة من الطاقة.

لذلك فإن تقنية تصنيع الرقائق 2 نانومتر هي الأكثر تطوراً حتى الآن، ولكنها لم تصل الأسواق بعد، ومن المتوقع وصولها خلال العامين المقبلين.

كلمات مفتاحية :